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则是什么结构的字尤其涉及一种基于电容量判断字轮位置的计数结构。它包括计数器及控制器，计数器包括计数器架及设置在计数器架上的电路板，以及设置在计数器架上的字轮，电路板包括第一电路板及与字轮对应设置的信号板，信号板为多个，多个信号板均与第一电路板电连接，字轮上设有第一导电体，信号还有呢？

则是什么结构金融界2024年3月13日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件及其制造方法“授权公告号CN110911416B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示，一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错还有呢？

ˋ＾ˊ 所述晶体管结构包括覆盖所述第一沟槽内壁的栅极层、以及位于所述栅极层内的有源结构；形成沿所述第二方向延伸的字线，所述字线包覆沿所述第二方向间隔排布的多个所述存储区域内的所述栅极层。本公开简化了水平字线的形成工艺，降低了半导体结构的制造成本，并改善了半导体结后面会介绍。

所述第一导电层与所述栅介质层侧面相接触，所述第二导电层位于相邻的所述有源柱之间，所述第一导电层位于所述栅介质层与所述第二导电层之间，所述第二导电层环绕所述第一导电层的侧面设置。本公开实施例提供的半导体结构及制备方法至少可以提升字线的控制能力。本文源自金融小发猫。

提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：阵列区和包围所述阵列区的隔断区；阵列区中包括沿第一方向延伸的部分位线以及沿第二方向延伸的部分字线；隔断区中包括与阵列区至少一侧相邻的引出区，字线和/或位线还位于引出区中；隔断区中包括浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构后面会介绍。

长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器的晶体管结构及其制造方法“授权公告号CN110299324B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示，本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成有源区及与之相交的字线；在两个字线之间形成接触说完了。

∪ω∪ 目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内至外依次叠置的第一子侧壁及第二子侧壁；于目标栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的两个沿第二方向间隔的栅极结构。本公开至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加单个存储单元结构中栅极结构与字线结构的厚度等我继续说。

X轴方向和Y轴方向垂直；形成覆盖接触孔的金属线，接触孔位于字线和金属线之间并分别与字线和金属线接触；其中，接触孔与金属线的接触面积大于接触孔与字线的接触面积。上述字线引出结构，通过使接触孔与金属线的接触面积大于接触孔与字线的接触面积，可以减小字线引出结构的接触好了吧！

目标半导体层位于栅极沟槽内的部分裸露并悬空；于栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的栅极结构。本公开实施例至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加字线结构所占空间体积及相邻字线结构的间距，并能够控制字线结构连接晶体管栅极结构的尺寸。本文源自金融是什么。

＞０＜ 长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构“公开号CN117316923A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构，半导体结构包括：若干沿第一方向延伸且沿第三方向间隔排布的字线；若干沿第二方向延伸且沿第三方向间隔排布的小发猫。